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缩减成本 30奈米工艺时代来临

眼看春节已经慢慢远去，从中国传统农历来说，新的一年伴随着第一场春雪也拉开帷幕。虽然春节期间中关村门可罗雀，但这两天陆陆续续返京的商家也给卖场带来了一些人气。

作为最主要的存储设备，内存（Memory）和硬盘（Hard Disc Drive）在2010年底确实让用户眉开眼笑。虽然它们没有什么新的技术和性能提升，但是用户最关心的价格问题得到了解决。其中内存顺利的从DDR2转入DDR3时代，并且价格跌至140元的最低点；而硬盘则是容量猛增，单碟750GB使得硬盘容量提升至3TB，另外主流硬盘价格也达到历史最低点。

那么在2011年，内存价格走势如何？DDR4内存能否影响现在的内存市场？硬盘、固态硬盘、混合硬盘是否能够三足鼎立？等等疑惑，都可以在2011年的展望文章中找到答案。

●缩减成本 30奈米工艺时代来临

不知是否受到Intel处理器的影响，内存的制造工艺脚步不断加快，预计到2011年下半年大部分内存芯片厂商将使用基于30nm技术的制程来制造内存芯片产品。其实谈到内存的生产工艺，很多用户都不理解，下面笔者举个简单的例子。

在2010年，三星是第一款推出40奈米制程工艺的厂商，相对于当时50或者60奈米工艺而言，生产效率提升60％，所以内存生产成本造价上也得到控制，在内存利润率低下的今天，缩减成本可以有效的提升利润空间。

如果所有DRAM厂宣布启用30nm制程后，DDR3内存芯片的产出率将比40nm制程提升60％左右，相比50、60nm制程的成本利用率提升两倍左右。另外，从节能上来说最多可节省30％的功耗，所以新制程的另一个特点就是低功耗、低发热。

目前三星和Hynix正在积极向30nm制程迁移，而在他们的带动下，尔必达也已经研发成功30nm工艺的2Gb容量DDR3 SDRAM内存颗粒，并且核心面积和功耗都创下业界新纪录。转换完成后，尔必达内存芯片产品的成本将大幅降低。

●2011年将全面普及DDR3 256＊8颗粒

谈完内存工艺，下面说说内存的颗粒发展。通俗来说，颗粒就是内存PCB板上面的芯片，每颗颗粒都是有容量的，在之前内存基本都是采用128Mb＊8规格，如果组成2GB内存需要16颗芯片。也就是说采用什么样规格的芯片，决定了单条内存的最大容量。

那么单颗芯片容量的提高能有什么好处呢？如上图所示，如果采用128＊8颗粒的话，生产一条2GB内存需要16颗这样的颗粒，正反两面均有颗粒。而是用256＊8的颗粒，仅需要8颗就能够做到2GB的容量，如果背面再增加8颗颗粒，那么就是单条4GB内存产品，所以相对而言其生产成本大大降低。

可以预见，在2011年第三季度，单条4GB内存将成为市场的主流，而单条2GB内存则会慢慢淡化，就像单条2GB取代单条1GB内存一样。那现在来说，一条2GB DDR3-1333内存售价在145元左右，那么购买两根2GB DDR3-1333内存需要290元。而单条4GB内存的售价仅为265元左右，如果您要购买4GB内存，选哪个相信就一目了然了吧。

●新一代DDR4内存2011年面世

韩国三星公司日前正式宣布，该公司成功使用30nm工艺推出了业界首款DDR4内存产品。对此三星公司内存市场部的执行副总裁Dong-Soo Jun表示：“新款DDR4 DRAM内存将会为我们先进的绿色内存带来更多的优势，特别是在当我们为主流应用使用下一代工艺推出4G DDR4产品的时候。”

DDR4内存起步频率就达到了2133MHz，最大频率可以达到4266MHz，并且电压会进一步降低至1.2V、1.1V，甚至还可能会有1.05V的超低压节能版。而目前的DDR3内存最高标准频率为2133MHz，电压则有标准版1.5V、节能版1.35V两种。所以可以预见DDR4将继续沿着高频率、低电压之路前进。

有消息称，JEDEC组织会在2011下半年完成DDR4标准规范的制定工作，而且三星也会加快与其它DRAM厂的密切合作，并且帮助制定DDR3标准。所以不出意外，在2011年底我们就能见到真正的DDR4内存出炉。

●DDR3内存在2011年价格走势分析

经过了中国农历春节的洗礼，内存市场相比年前有了较大幅度的上调，均价从135元涨至150元左右。上涨原因主要是上游渠道放假，货源比较紧张，看上去跟上游DRAM厂颗粒价格无关，但是现在内存的售价已经低于它的生产成本，这种局面还能坚挺多久？

其实从1月底开始，上游DRAM厂如三星均表示合约价格触底，尤其是DDR3 1Gb eTT现货价在1月27日大涨8.18％；DDR3 2Gb品牌颗粒更大涨10.81％收市，这会不会是价格上涨前的征兆呢？下面笔者就来分析一下。

首先，在1月底的合约价格已经跌破DDR3 2Gb的制造成本，再继续下调的空间已经不大，想要再次重演2007年内存大降价的历史已经很难。笔者分析春节后内存价格仍会围绕在140-150元左右，毕竟通路厂商还有不少的库存，想要消化殆尽还需要一段时间，所以市场暂时不会有明显的涨幅。

另外一个重要因素就是产能出现吃力现象。因为很多制造工艺落后的DRAM厂很看好Mobile DRAM以及NAND芯片的利润，一方面觉得内存后续市场不乐观，另外就是新工艺导致良品率不足等等问题，使之转产。毕竟随着平板电脑的普及，NAND芯片的需求不断加大，间接造成DRAM产能缩减，而在需求面上，由于DRAM价格大跌后，PC厂愿意提升内存搭载容量，因此也开始消耗更多的DRAM产能，所以未来可以预见DDR3内存已经有了触底反弹的信号。

但是这并不意味着内存将会大幅反弹，毕竟需求是影响内存价格的重要因素。所以2011年内存的价格主要以小幅震荡走势为主，预计震荡的区间在140-170元之间，所以在2011年内存操盘会比较麻烦，应该以短线操作为宜。

●混合硬盘2011年将如鱼得水

如今硬盘市场已然出现分水岭，一方面是容量大、性价比高的HDD机械硬盘；另一方面则是价格昂贵，但是性能突出的SSD固态硬盘，两者各有各的优势，难分上下。但是如果用户既想拥有低价格，又能享受到高性能，就没有一款在两者中间的产品了吗？

答案是否定的！其实在2010年中旬，希捷发布了自己的首款混合硬盘Momentus XT，将两者的优势很好的结合。而且西部数据John Coyne声称：“我们也在继续评估将磁存储与闪存结合成混合方案的机遇……我们考虑的是如何将固态存储的性能与磁性媒介的容量更好地综合起来……并提供可承受的价位，它将会是未来一段时间的主力。”

对于混合硬盘而言，它的实质是一块2.5英寸7200rpm硬盘，配备了目前最大的32MB缓存，加上一颗4GB容量SLC NAND闪存颗粒，再用控制器来管理哪些常用文件将被存放至闪存即可。

原理就是这颗4GB芯片通过希捷研发的Adaptive Memory技术可以不断的学习，将检测到使用频率高的数据信息存入闪存，一旦软件再要求访问这些数据，就能够直接从闪存中快速读出，反之则继续访问磁盘。要知道，从闪存读取信息远远快于从旋转的盘片中提取信息，这样看来，就像每一款Momentus XT硬盘都是为拥有者量身定做一般。

通过实际的PCMark Vantage基准测试也能看出，在模拟日常应用软件是，运行两遍之后需要的数据就已经被载入闪存之中，第三次提取时就更加快捷，也使得测试成绩成本提高。

其实对于一款介于机械硬盘和SSD硬盘的产品确实填补了这部分市场，让用户享受机械硬盘容量和价格的同时，也得到了SSD硬盘的优点，正可谓鱼和熊掌有时候也是可以兼得的，所以在2011年它将会大展宏图。

●3TB硬盘问世单碟750GB硬盘成主流

随着个大厂商推出3TB硬盘产品，也标着2011年将进入单碟750GB盘片时代。从而衍生出来的单碟750GB硬盘产出不仅拥有更好的性价比，也会提升不少性能。众所周知，硬盘行业也是遵循摩尔定律的一条产品线，随着技术的不断提高，用户可以用同样的价格购买到更大容量的产品，这也正是硬盘价格持续走低的关键因素之一。

另外，单碟500GB容量硬盘会像现在250GB、320GB产品一样，慢慢淡出市场，取而代之的是单碟750GB硬盘和双碟1TB硬盘。

●2011年将成为SSD和HDD混搭年

英特尔按计划在明年初将推出基于Intel、美光合资企业IMFT出产的25nm工艺NAND闪存。由于制程的提升，新一代固态硬盘将在和前代产品类似的价格水平下，实现翻倍的存储容量，全系列容量从40GB（X25-V）到600GB不等。

而相对于我们而言，就是可以用更低的价格购买一款拥有良好主控的60GB固态硬盘作为系统盘，而采用传统大容量的机械硬盘作为存储盘，如此搭配除了拥有更高性能外，还能得到更大的存储空间，所以随着SSD硬盘价格的不断下调，会有越来越多的用户采用这种方案，所以说2011年将成为两者的混搭年。